Фотоэлектрический датчик SICK G2S GTB2S-F5451 433819
(Москва, Пресненская наб., 12 «Башня Федерация. Москва-Сити», этаж 42)
ХАРАКТЕРИСТИКИ
ОПИСАНИЕ
Фотоэлектрический датчик Sick GTB2S-F5451 серии G2S представляет собой миниатюрное устройство с принципом отражения от объекта и подавлением заднего фона. Он предназначен для обнаружения объектов в диапазоне от 2 мм до 120 мм, с рекомендуемым расстоянием срабатывания от 25 мм до 90 мм. Датчик использует видимый красный свет с длиной волны 640 нм и светодиод PinPoint в качестве источника.
Устройство имеет прямоугольный корпус с размерами 7,7 мм x 27,5 мм x 13,5 мм. Настройка осуществляется с помощью потенциометра с тремя оборотами. Датчик работает от напряжения питания 10 V DC до 30 V DC и имеет переключающий выход PNP с типом переключения «ТЕМНО». Максимальный выходной ток составляет менее 50 мА, а частота переключения достигает 800 Гц. Подключение осуществляется через кабель с разъемом M8, 3-контактный, длиной 200 мм.
Корпус датчика выполнен из пластика ABS, а оптика — из пластика PMMA, что обеспечивает степень защиты IP67. Устройство способно функционировать в широком диапазоне температур от –25 °C до +50 °C. Датчик оснащен схемами защиты от переполюсовки, подавления импульсных помех и короткого замыкания выходов, что повышает его надежность в промышленных условиях.
Фотоэлектрический датчик Sick GTB2S-F5451 подходит для применения в автоматизированных системах, где требуется точное и надежное обнаружение объектов в ограниченном пространстве. Продукт сертифицирован по стандарту CE и поставляется с гарантией 12 месяцев.
