Фотоэлектрический датчик с отражением от объекта SICK WTB8-P1111V 434366
(Москва, Пресненская наб., 12 «Башня Федерация. Москва-Сити», этаж 42)
ХАРАКТЕРИСТИКИ
ОПИСАНИЕ
Фотоэлектрический датчик Sick WTB8-P1111V в миниатюрном корпусе W8 Inox предназначен для обнаружения объектов на расстоянии от 5 до 150 мм. Он работает по принципу отражения от объекта с подавлением заднего фона, используя видимый красный свет от светодиода с длиной волны 650 нм. Датчик оснащен выходом PNP и поддерживает переключение СВЕТЛО/ТЕМНО, выбираемое пользователем.
Корпус датчика выполнен из нержавеющей стали V4A (1.4404, 316L), что обеспечивает высокую устойчивость к агрессивным средам и позволяет использовать его в гигиеничных зонах и зонах с высокой влажностью. Устройство имеет степень защиты IP69K, что гарантирует полную защиту от пыли и воды при высоком давлении и температуре. Настройка чувствительности осуществляется с помощью потенциометра на 4 оборота.
Датчик питается от источника постоянного тока напряжением от 10 до 30 В и потребляет до 30 мА. Он способен коммутировать ток до 100 мА с частотой переключения 1000 Гц. Подключение осуществляется через 3-жильный кабель длиной 2 метра с ПВХ изоляцией и сечением провода 0,18 мм². Датчик оснащен схемами защиты от переполюсовки, инверсии полярности и короткого замыкания.
Рабочий диапазон температур составляет от –30 °C до +60 °C, а диапазон температур хранения — от –40 °C до +70 °C. В комплект поставки входит крепежный уголок из нержавеющей стали (1.4301/304) BEF-W100-A. Гарантия на изделие составляет 12 месяцев, имеется сертификат CE.
