Фотоэлектрический датчик отражения от объекта SICK VTEP8240V 434943
(Москва, Пресненская наб., 12 «Башня Федерация. Москва-Сити», этаж 42)
ХАРАКТЕРИСТИКИ
ОПИСАНИЕ
Фотоэлектрический датчик Sick VTE18-4P8240V предназначен для обнаружения объектов методом отражения. Он выполнен в цилиндрическом корпусе из нержавеющей стали V4A (1.4404, 316L) с диаметром резьбы M18 x 1 и длиной 83 мм. Датчик работает на инфракрасном свете, используя светодиодный источник излучения с длиной волны 880 нм. Оптическая ось расположена осевым образом.
Максимальная дистанция работы датчика составляет от 0 до 900 мм, а расстояние срабатывания регулируется в диапазоне от 5 до 800 мм. Настройка чувствительности осуществляется вручную с помощью кнопки или через функцию Touch-Teach-in. Датчик оснащен переключающим выходом PNP с возможностью выбора типа переключения (СВЕТЛО/ТЕМНО) через кабель управления L/D. Частота переключения достигает 500 Гц.
VTE18-4P8240V питается от источника постоянного тока напряжением 10 V DC до 30 V DC и имеет потребление тока 35 мА. Он обладает высокой степенью защиты IP67, IP68 и IP69K, что позволяет использовать его в гигиеничных зонах и зонах с высокой влажностью. Рабочий температурный диапазон составляет от –25 °C до +80 °C, а температура хранения — от –40 °C до +80 °C.
Датчик подключается через 4-контактный разъем M12 и оснащен схемами защиты от переполюсовки, подавления импульсных помех и короткого замыкания выходов. Корпус выполнен из нержавеющей стали, а оптика — из пластика PPS (Grilamid). Продукт сертифицирован по стандартам CE и UL (FDA, UL № NRKH.E181493 & cUL № NRKH7.E181493). Гарантия на изделие составляет 12 месяцев.
