Фотоэлектрический датчик отражения от объекта SICK GTB10-P4212 434416
(Москва, Пресненская наб., 12 «Башня Федерация. Москва-Сити», этаж 42)
ХАРАКТЕРИСТИКИ
ОПИСАНИЕ
Фотоэлектрический датчик Sick GTB10-P4212 (артикул 1065857) предназначен для обнаружения объектов с использованием принципа отражения от объекта и подавления заднего фона. Он оснащен светодиодом PinPoint, излучающим видимый красный свет с длиной волны 625 нм. Датчик имеет прямоугольный корпус с габаритами 20 x 50 x 39 мм и обеспечивает максимальную дистанцию работы от 20 мм до 950 мм.
Устройство функционирует от источника постоянного тока в диапазоне 10 V DC до 30 V DC, потребляя при этом 20 мА. Переключающий выход PNP поддерживает тип переключения СВЕТЛО/ТЕМНО, который можно выбирать через соответствующий переключатель. Частота переключения составляет 1000 Гц. Настройка датчика осуществляется с помощью потенциометра с пятью оборотами.
Датчик GTB10-P4212 обладает классом защиты III и типом защиты IP67, что обеспечивает его надежную работу в различных промышленных условиях. Материал корпуса выполнен из прочного пластика ABS/PMMA. Устройство оснащено разъемом M12, 4-конт., для подключения и имеет схемы защиты от переполюсовки, инверсии полярности, импульсных помех и короткого замыкания.
Рабочий диапазон температур составляет от –30 °C до +60 °C, а диапазон температур хранения — от –40 °C до +70 °C. Среднее время до опасного выхода из строя (MTTFd) оценивается в 1885 лет. В комплект поставки входит крепежный уголок BEF-G10DC01. Продукция соответствует стандартам ЭМС EN 60947-5-2 и UL325 (при использовании внешнего защитного корпуса).
